О САЙТЕ
Добро пожаловать!

Теперь вы можете поделиться своей работой!

Просто нажмите на значок
O2 Design Template

ФЭА / АИТ / МАГНИТОУПРУГИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

(автор - student, добавлено - 11-11-2013, 16:38)
Работа магнитоупругих преобразователей основана на явлениях, возникающих в результате взаимодействия между магнитными и механическими состояниями ферромагнитных тел, объединяемых под названием магнитоупругих явлений.
Просмотров - 2000
Комментариев - 0

ФЭА / АИТ / ЕМКОСТНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

(автор - student, добавлено - 11-11-2013, 16:38)
К емкостным относятся измерительные преобразователи, у которых электрическая емкость и диэлектрические потери в ней изменяются под действием входной величины. Емкость С плоскопараллельного конденсатора с площадью обкладок S и расстоянием между ними 5 определяется выражением
Просмотров - 1546
Комментариев - 0

ФЭА / АИТ / ГАЗОРЯЗРЯДНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

(автор - student, добавлено - 11-11-2013, 16:37)
В газоразрядном преобразователе происходит непосредственное преобразование энергии ядерного излучения в электрические импульсы.
Просмотров - 1705
Комментариев - 0

ФЭА / АИТ / СЦИНЦИЛЯЦИОННЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

(автор - student, добавлено - 11-11-2013, 16:37)
Сцинтилляционный радиационный преобразователь представляет собой конструктивную совокупность люминофора 1 (оптически прозрачного вещества, люминесцирующего под действием ядерного излучения) с фотоэлектронным умножителем (ФЭУ) 2. В результате взаимодействия попавшей элементарной частицы (или гамма-кванта) с материалом сцинтиллятора часть атомов сцинтиллятора переходит в возбужденное состояние. Обратный переход в нормальное состояние сопровождается испусканием кратковременной световой вспышки. Фотоны в дальнейшем преобразуются фотоэлектронным умножителем.
Просмотров - 1846
Комментариев - 0

ФЭА / АИТ / ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

(автор - student, добавлено - 11-11-2013, 16:36)
Принцип действия полупроводниковых радиационных преобразователей основан на ионизации атомов в области, которая называется р-л-переходом и создается при тесном соприкосновении двух пластинок полупроводников, обладающих различной проводимостью. Если подключить п- полупроводник к отрицательному полюсу источника тока, а р - полупроводник - к положительному, то через переход потечет ток; при обратной полярности сопротивление р-л-слоя, называемого запорным, возрастает и система не проводит тока.
Просмотров - 1702
Комментариев - 0


ФНГ ФИМ ФЭА ФЭУ Яндекс.Метрика
Copyright 2021. Для правильного отображения сайта рекомендуем обновить Ваш браузер до последней версии!