ФЭА / АИТ / ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
(автор - student, добавлено - 11-11-2013, 16:36)
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Принцип действия полупроводниковых радиационных преобразователей основан на ионизации атомов в области, которая называется р-л-переходом и создается при тесном соприкосновении двух пластинок полупроводников, обладающих различной проводимостью. Если подключить п- полупроводник к отрицательному полюсу источника тока, а р - полупроводник - к положительному, то через переход потечет ток; при обратной полярности сопротивление р-л-слоя, называемого запорным, возрастает и система не проводит тока. При прохождении ионизирующей частицы (гамма-кванта) через запорный слой в нем происходит ионизация и образуются свободные носители заряда, которые под действием электрического поля переходят к соответствующим электродам, что приводит к возникновению импульса напряжения на нагрузке R (рис.). Амплитуда импульса пропорциональна числу носителей зарядов, образованных ионизирующей частицей, а следовательно, ее энергии, что дает возможность изучать энергетический спектр излучения. Эффективность регистрации гамма-квантов повышают увеличением толщины чувствительного (запорного) слоя. Преимущества полупроводниковых радиационных преобразователей - экономичность питания, малые размеры и хорошее амплитудное разрешение. |
|