Производя расчеты и изу­чая свойства электрических цепей постоянного, синусоидального и периодического несинусоидального токов, мы не интересовались как происходит уста­новление режима в цепи при включении и отключении источников э.д.с., по каким законам происходит переход от одного режима к другому при изменении параметров цепи, при отключении и под­ключении ветвей, при коротких замыканиях и подобных им процессах.

В данной курсовой работе будут рассматриваться переходные процессы. Переходные процессы -  процессы перехода от одного режима работы электрической цепи (обычно периодического) к дру­гому (обычно также периодическому), чем-либо отличающемуся от предыдущего, например: величиной фазы, амплитуды, формой или частотой действующей в схеме э.д.с., значениями параметров схе­мы, конфигурацией цепи и др..

Режим синусои­дального тока, режим постоянного тока, а также такой режим, как режим отсутствия тока в ветвях цепи обычно являются периодическими режимами.

Производя расчеты и изу­чая свойства электрических цепей постоянного, синусоидального и периодического несинусоидального токов, мы не интересовались как происходит уста­новление режима в цепи при включении и отключении источников э.д.с., по каким законам происходит переход от одного режима к другому при изменении параметров цепи, при отключении и под­ключении ветвей, при коротких замыканиях и подобных им процессах.

В данной курсовой работе будут рассматриваться переходные процессы. Переходные процессы -  процессы перехода от одного режима работы электрической цепи (обычно периодического) к дру­гому (обычно также периодическому), чем-либо отличающемуся от предыдущего, например: величиной фазы, амплитуды, формой или частотой действующей в схеме э.д.с., значениями параметров схе­мы, конфигурацией цепи и др..

Режим синусои­дального тока, режим постоянного тока, а также такой режим, как режим отсутствия тока в ветвях цепи обычно являются периодическими режимами.

Последние достижения в области физики и технологии полупроводников, математики, химии, радиотехники позволили перейти к новому этапу миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры – созданию и совершенствованию интегральных схем.

Интегральная микросхема – микроэлектронное изделие, выполняющее функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов или кристаллов, которые с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации – рассматривается как единое целое.

Полупроводниковые  интегральные микросхемы приставляют собой законченные функциональные устройства, элементы которых выполняются в едином технологическом цикле. Поэтому параметры полупроводниковых интегральных микросхем имеют меньший разброс и температурную зависимость, чем параметры аналогичных функциональных устройств, выполненных на дискретных элементах.

При проектировании ИС с большой степенью интеграции (БИС) необходимо решить две проблемы. Первая – возможность уменьшения геометрических размеров элементов схемы. Вторая проблема – обеспечение отвода теплоты. Увеличение плотности упаковки элементов в интегральной микросхеме обуславливают увеличение удельной мощности рассеяния.

В данной работе рассматривается последовательность создания имитационной графической модели технологического процесса ДНС, состоящая из 2-х частей. При разработке модели использует ОРС сервер имитации сигналов ОРС Simulator, т.е. все графические объекты и символы связаны с тегами имитации сигналов во встроенном имитаторе, что позволяет создать демонстрационную модель объекта без подключения аппаратных средств.

В данной работе рассматривается последовательность создания имитационной графической модели технологического процесса ДНС, состоящая из 2-х частей. При разработке модели использует ОРС сервер имитации сигналов ОРС Simulator, т.е. все графические объекты и символы связаны с тегами имитации сигналов во встроенном имитаторе, что позволяет создать демонстрационную модель объекта без подключения аппаратных средств.

Цель и содержание работы

• закрепление теоретических знаний и приобретение практических навыков в построении регрессионных моделей объекта по экспериментальным данным с использованием программы MathCAD;
• решение задачи оп­ределения максимума общей производительности по конденсату установки низкотемпературной се­парации (НТС) с параллельно работающими аппаратами на ЭВМ, а также получение практических навыков в решении оптимизационных задач.