1.Выбор типа исполнительного устройства (НО или НЗ), а также типа конструкции регулирующего органа в соответствии с требованиями технологии.

2.Определение минимального перепада давления  в исполнительном устройстве при максимальном расходе

3.Проверка ИсУ на кавитацию при максимальном расходе ().

4.Вычисление предварительного значения максимальной пропускной способности .

5.Определение индекса вязкости

В последнее время все чаще используют транзисторы, извлеченные из неработающих электронных приборов. В связи с этим возникает проблема определения структуры и выводов транзисторов.

При экспериментальном определении структуры транзистора (р-n-р или n-р-n) его можно рассматривать состоящим из двух диодов, соединенных в зависимости от структуры анодами или катодами (рис. 3.34 а, б), причем точка соединения диодов соответствует выводу базы транзистора. Для определения структуры и вывода базы транзистора воспользуемся омметром с известной полярностью напряжения, подаваемого на гнезда омметра от внутреннего источника питания. Обычно положительный полюс внутреннего источника питания омметра соединен с гнездом “общий”.

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя р-n переходами и тремя выводами, служащий для усиления мощности. В транзисторе имеется три области – эмиттер (э), база (б) и коллектор (к). В зависимости от типа проводимости этих областей различают транзисторы n-p-n и p-n-p типа. Таким образом, в транзисторе имеется два p-n перехода: эмиттер-база (эмиттерный) и коллектор-база (коллекторный). Стрелка на условных обозначениях транзисторов (см. в начале главы) указывает направление от p области к n области. Принцип работы обоих типов транзисторов одинаков.

1.     какую величину характеризует формула   X=(ρν/µ)D

2. Определить минимальный перепад давления при максимальном расходе

,

,

3. Проверка ИсУ на кавитацию при максимальном расходе

При - кавитация в ИсУ при отсутствует.

4. Вычисление предварительного значения максимальной пропускной способности: